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Non-volatile memory, Converter, FRAM, DSP, Processor
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| FM1808 256Kb Bytewide F-RAM Memory | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| r | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Features 256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM • Organized as 32,768 x 8 bits • High Endurance 1 Trillion (1012) Read/Writes • 45 year Data Retention • NoDelay™ Writes • Advanced High-Reliability Ferroelectric Process Superior to BBSRAM Modules • No Battery Concerns • Monolithic Reliability • True Surface Mount Solution, No Rework Steps • Superior for Moisture, Shock, and Vibration • Resistant to Negative Voltage Undershoots | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRAM & EEPROM Compatible • JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM pinout • 70 ns Access Time • 130 ns Cycle Time Low Power Operation • 25 mA Active Current • 20 |jA Standby Current Industry Standard Configuration • Industrial Temperature -40° C to +85° C • 28-pin SOIC or DIP • "Green"/RoHS Packaging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Description The FM1808 is a 256-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile but operates in other respects as a RAM. It provides data retention for 45 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make F-RAM superior to other types of nonvolatile memory. In-system operation of the FM1808 is very similar to other RAM devices. Minimum read- and write-cycle times are equal. The F-RAM memory, however, is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory process. Unlike BBSRAM, the FM1808 is a truly monolithic nonvolatile memory. It provides the same functional benefits of a fast write without the disadvantages associated with modules and batteries or hybrid memory solutions. These capabilities make the FM1808 ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes in a bytewide environment. The availability of a true surface-mount package improves the manufacturability of new designs, while the DIP package facilitates simple design retrofits. Device specifications are guaranteed over an industrial temperature range of -40°C to +85°C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pin Configuration | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| _Ordering Information_ FM1808-70-PG I 70 ns access, 28-pin "Green" DIP~ FM1808-70-SG 70 ns access, 28-pin "Green" SOIC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron's internal qualification testing and has reached production status. Rev. 3.4 Dec. 2007 | Ramtron International Corporation 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921 (800) 545-FRAM, (719) 481-7000 http ://www.ramtron. com Page 1 of 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||